封裝用IGBT測試儀批發-華科分立器件測試儀

目的和用途該設備用于功率半導體模塊（igbt、frd、肖特基二*管等）的動態參數測試，以表征器件的動態特性，通過測試夾具的連接，實現模塊的動態參數測試。測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試。1.2 測試對象igbt、frd、肖特基二*管等功率半導體模塊2.測試參數及指標2.1開關時間測試單元技術條件開通時間測試參數：1、開通時間ton：5～2000ns±3%±3ns2、開通延遲時間td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升時間tr：5～2000ns±3%±3ns4、開通能量： 0.2～1mj±5%±0.01mj1～50mj±5%±0.1mj 50～100mj±5%±1mj100～500mj±5%±2mj5、開通電流上升率di/dt測量范圍：200-10000a/us6、開通峰值功率pon：10w～250kw
近兩年igbt測試儀持續，新能源汽車，封裝用igbt測試儀廠家，軌道交通，風力發電等等都需要大量的igbt模塊，所以我們華科智源推出了大功率igbt測試儀，可以測試1200a，5000v以內的igbt模塊，基本可以涵蓋現階段的igbt模塊的測試了，我們igbt測試儀還可以在線檢測模塊的電性能參數，對一些檢修，維護領域的工作有比較好的幫助，封裝用igbt測試儀批發，目前國內我們華科智源不光是igbt靜態測試儀，包括動態測試儀，與的設備也可以放在一起競爭了，封裝用igbt測試儀加工，而且我們不怕競爭，封裝用igbt測試儀，這對我們是一種促進。賣方對技術規范保證數據的有效性及交貨保質期等應由雙方協商確定并簽署在合同中。
現今power mosfet(金屬氧化物場效晶體管)及igbt（絕緣柵型場效應晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導地位。由于科技進步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求 ，帶動mosfet及igbt的發展，尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換.集成vga顯示接口、4個pci接口、6個串口、6個μsb接口等。...等領域，使半導體開發技術人員在市場需求下，對大功率元件的發展技術，持續在突破。
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