氣相化學沉積設備廠家-氣相化學沉積設備-沈陽鵬程公司(查看)

icp刻蝕機裝片介紹
以下內容由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供，今天我們來分享icp刻蝕機的相關內容，氣相化學沉積設備哪家好，希望對同行業的朋友有所幫助！
等離子體系統效應的過程轉換成材料的蝕刻工藝。在待刻蝕硅片的兩邊，分別放置一片與硅片同樣大小的玻璃夾板，疊放整齊，用夾具夾緊，確保待刻蝕的硅片中間沒有大的縫隙。冷熱探針法將夾具平穩放入反應室的支架上，關好反應室的蓋子。等離子刻蝕檢驗原理為冷熱探針法，具體方法如下：熱探針和n型半導體接觸時，傳導電子將流向溫度較低的區域，使得熱探針處電子缺少，因而其電勢相對于同一材料上的室溫觸點而言將是正的。同樣道理，p型半導體熱探針觸點相對于室溫觸點而言將是負的。此電勢差可以用簡單的微伏表測量。熱探針的結構可以是將小的熱線圈繞在一個探針的周圍，也可以用小型的電烙鐵。
化學氣相沉積的特點
化學氣相沉積法之所以得到發展，是和它本身的特點分不開的，其特點如下。
i) 沉積物種類多: 可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。
2) cvd反應在常壓或低真空進行，鍍膜的繞射性好，對于形狀復雜的表面或工件的深孔、細孔都能均勻鍍覆。
3) 能得到純度高、致密性好、殘余應力小、結晶良好的薄膜鍍層。由于反應氣體、反應產物和基體的相互擴散，可以得到附著力好的膜層，這對表面鈍化、*蝕及*等表面增強膜是很重要的。
4) 由于薄膜生長的溫度比膜材料的熔點低得多，由此可以得到純度高、結晶完全的膜層，這是有些半導體膜層所必須的。
5) 利用調節沉積的參數，可以有效地控制覆層的化學成分、形貌、晶體結構和晶粒度等。
6) 設備簡單、操作維修方便。
7) 反應溫度太高，一般要850~ 1100℃下進*相化學沉積設備多少錢，許多基體材料都耐受不住cvd的高溫。采用等離子或激光輔助技術可以降低沉積溫度。
如需了解更多化學氣相沉積的相關信息，歡迎關注沈陽鵬程真空技術有限責任公司網站或撥打圖片上的熱點電話，我司會為您提供、周到的服務。
icp刻蝕機簡介
以下是沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您一起分享的內容，沈陽鵬程真空技術有限責任公司生產化學氣相沉積，歡迎新老客戶蒞臨。
一．系統概況
該系統主要用于常規尺寸樣片（不超過φ6）的刻蝕，可刻蝕的材料主要有sio2、si3n4、多晶硅、
硅、sic、gan、gaas、ito、azo、光刻膠、半導體材料、部分金屬等。設備具有選擇比高、刻
蝕速率快、重復性好等優點。具體描述如下：
1.系統采用單室方箱式結構，手動上開蓋結構；
2.真空室組件及配備零部件全部采用鋁材料制造，氣相化學沉積設備，真空尺寸為400mm×400×197mm，
內腔尺寸ф340mm×160mm；
3.*限真空度：≤6.6x10-4 pa (經烘烤除氣后，氣相化學沉積設備廠家，采用ff160/600分子泵抽氣)；
系統真空檢漏漏率：≤5.0x10-7 pa.l/s；
系統從大氣開始抽氣到5.0x10-3 pa，20分鐘可達到（采用分子泵抽氣)；
停泵關機12小時后真空度：≤5 pa；
4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進氣方式；
5.樣品水冷：由循環水冷水機進行控制；
7.icp頭尺寸：340mm mm，噴淋頭與樣品之間電*間距50mm；
8. 沉積工作真空：1-20pa；
9. 氣路設有勻氣系統，真空室內設有保證抽氣均勻性抽氣裝置；
10. 射頻電源：2臺頻率 13.56mhz，功率600w，全自動匹配；
11. 6路氣體，共計使用6個質量流量控制器控制進氣。
氣體：氦氣/氧氣/四氟化碳/*
12. 刻蝕速率
sio2：≥0.5μm/min
si：≥1μm/min
光刻膠：≥1μm/min
13. 刻蝕不均勻性：
優于±5%（φ4英寸范圍內）
優于±6%（φ6英寸范圍內）
14. 選擇比
cf4的選擇比為50，
氣相化學沉積設備廠家-氣相化學沉積設備-沈陽鵬程公司(查看)由沈陽鵬程真空技術有限責任公司提供。氣相化學沉積設備廠家-氣相化學沉積設備-沈陽鵬程公司(查看)是沈陽鵬程真空技術有限責任公司今年新升級推出的，以上圖片僅供參考，請您撥打本頁面或圖片上的聯系電話，索取聯系人：董順。